Расширение Mémoire Pour BeagleBone Black: 8 шагов

2024 Автор: John Day | [email protected]. Последнее изменение: 2024-01-30 11:52

Je vous présenter dans cet Instructable un de mes projet qui consistait à Piloter des mémoires de différents types afin de pouvoir tester leur fonctionnement dans des conditions spatiales (enceinte radiative) и de Trouver le taux d'erreurs engendré par cet type environment. Вы можете использовать этот проект для создания воспоминаний о BeagleBone, создавая USB-накопитель или просто для изучения функций.

Шаг 1: Quelques Types De Mémoires

Voici une liste исчерпывающий список различных типов воспоминаний, используемых в проекте с дополнительными возможностями и неудобствами:

Премьер типа памяти: la mémoire SRAM

Память vive statique (или статическая память с произвольным доступом) - это тип памяти vive, используемой для хранения памяти. Contrairement à la mémoire dynamic, son contenu n’a pas besoin d’être rafraîchit périodiquement. Elle reste cependant volatile: elle ne peut se passer d'almentation sous peine de voir ses information effacées irrémédiablement!

Возможности: - la SRAM est rapide (Temps d'accès 6-25 ns) - peu coûteuse (4 € / мес.). Неудобные: - besoin d'être alimenté en permanence pour ne pas perdre ses données, aussi ce type de mémoire наложить d'ajouter à notre carte mémoire un moyen de l'alimenter en permanence. Le moyen Trouvé est d’ajouter un super конденсатор Cellergy pouvant alimenter la mémoire pendant une journée.

Deuxième type de mémoire: la mémoire MRAM

La mémoire vive statique magnétique (Магнитное запоминающее устройство с произвольным доступом) stocke les données sans предохраняться от еды. Le changement d'état se fait en changeant l’orientation polaire des electrons (par effet tunnel notamment). Elle est très résistante aux radiations et aux hautes températures. Преимущества: - энергонезависимая информация. - inusabilité, puis ce qu’aucun mouvement électrique n'est engagé (выдерживает 10 ^ 16 циклов лекций / выступлений!). - Эта электрическая конструкция может быть создана в результате термического сопротивления благодаря сопротивлению материалов, используемых для движения электронов. - временная задержка 10 наносекунд. - les débits sont de l'ordre du gigabit par second. - Непревзойденное сопротивление излучению, всестороннее сопротивление в пространственной среде. Неудобства: - Совместная (~ 35 € / мес.) машина на бис в фазе развития (коммерциализация массового производства в 2018 году!) mais on peut s'en procurer chez Digikey Commercialisé sous la marque Everspin. - емкость запаса является ограниченным из-за непостоянных магнитных полей, которые нарушают целостность музыкальных композиций, которые не следуют тропам.

Troisième type de mémoire: la mémoire FRAM

Память FRAM (сегнетоэлектрическая оперативная память) - это тип памяти для постоянной энергонезависимой памяти для поиска и разработки.

Он похож на память DRAM à laquelle на кушетке из ферроэлектричества для обеспечения нелетучих веществ. В мае 2011 года компания Texas Instruments выпустила первый микроконтроллер с памятью FRAM.

Это предназначено для SSD (твердотельного накопителя), который предназначен для хранения нелетучих материалов, а не для сохранения энергии. Преимущества: - Unde plus faible consompting d’électricité. - Большая скорость чтения лекций и критических данных (время отсчета 100 наносекунд против 1 микросекунды для вспышки памяти). - la Possible d'être effacée et recrite un bien plus grand nombre de fois (длительность 10 ^ 14 циклов лекций / заданий). Неудобства: - количество запасов плюс лимиты - un coût de factory plus élevé, ~ 30 € / мес.

Les deux grandes familles de mémoires: Série (фото 1) и parallèle (фото 2)

Серия: серия воспоминаний, нацеленных на то, чтобы обеспечить постоянное усиление места и сохранить конфигурацию памяти, которая была использована для облегчения интеграции моделей. Cependant ces mémoires ne sont pas très rapide car la trame entière (тип операции, адрес, не нужно…) doit être reçue avant d’enregistrer or accéder à la donnée. Типичное значение пропускной способности от 5 до 20 МГц при одновременном использовании дополнительных битов, оставшихся без данных (1 / (20 * 10⁶)) с, при 50 нс номинальных битов (50 нс * 8 = 400 нс для 8 бит). Этот тип памяти не использует временные карты для определенных типов FPGA.

Параллель: Параллельные воспоминания, которые используются в разных доменах RAM для обычного USB. Этот тип воспоминаний - это красиво, плюс быстрый переворот в воспоминаниях SPI car en un coup d'orloge il permet d'accéder aux information, nous sommes donc can de recupérer en quelques ms tout le contenu de la mémoire de 1Mo. L'inconvénient - это сложный автомобиль для более сложных моделей.

Pour accéder à plusieurs en mémoire en même temps nous devons jouer les pins de chip enable (CE) des mémoires afin d'indiquer à laquelle nous voulons accéder (voir schéma). Le schéma est valable pour les deux types de mémoires seul change le moyen d’accès aux données et adresses.

Шаг 2: Mémoire Serial FRAM SPI

Кабель BeagleBone на память: Reliés au 3.3V: VDD, HOLD, WP В массовом порядке: VSS MISO Relié на SO MOSI Relié на SI CS Relié на CS

NB: L'avantage de ce type de mémoire SPI est que, peu importe le modèle ou la marque du fabricant de semi-conducteurs, la configuration du boîtier reste la même ce qui n'est pas le cas des autres types de mémoires com les Параллельные воспоминания. Дополнительные сведения о различных воспоминаниях, относящихся к функциям создания памяти. Это возможно при поездке из воспоминаний различных моделей без использования новых алгоритмов программиста.

Les pins HOLD et WP не поддерживает 3.3V: si cela empêche l’utilisateur d’utiliser ces fonctionnalités, конечно, позволяет облегчить программирование. Надежные функции, которые создают воздушную été utiles, si l’on avait plusieurs mémoires SPI à piloter!

Afin de piloter la mémoire il faut d’abord étudier sa fiche method disponible à l’adresse suivante:

Это описание техники, указывающей на разные циклы, необходимые для жизни и написания в памяти и на постоянной основе программы пилота.

Шаг 3: циклы последовательной FRAM

Ecriture:

Avant d'écrire dans la mémoire il faut envoyer une trame d'accès à L'écriture (WREN) 0000 0110 (0x06h) (Voir figure 5) Analyze de la trame d'écriture envoyée par MOSI de la Beaglebone à SI (Voir figure 9)

- 8 битов премьер, код операции (READ): 0000 0011 (0x03h) - адрес 16 бит, même si cette mémoire n'en considère que 11 car il s'agit d'une mémoire de 16Kb ((2 ^ 11) * 8 битов) 16-битный автомобиль, позволяющий разрешить австралийскому пилоту воспоминаний 64 КБ. - 8 бит де донне. Лекция:

Анализируйте ход лекции, посланник по MOSI-де-ла-Биглебон в SI: (Рис. 10) - 8 битов премьер, Op-code de la lecture (WRITE): 0000 0010 (0x02h) - адрес 16 бит Анализируйте ход лекции посланник SO à MISO de la Beaglebone: - 8 бит де донне

Шаг 4: Code Pilotant La Mémoire FRAM

Залейте программу компилятора на язык C: $ gcc programme_spi.c –o spiPour utiliser ce program: $./spi add1 add2 data mode

Add1 (MSB) и Add2 (LSB) соответствуют 8 битам, данные соответствуют 8 битам, которые не указаны (mettre 0 si lecture), Mode соответствуют l’écriture (= 2) or la lecture (= 1).

Пример использования:./spi 150 14 210 2 Использовать адрес 16 бит 150 14 (0x96h, 0x0Eh) без 210 (0xD2).

./spi 150 14 0 1 лит à l'adresse150 14 (0x96h, 0x0Eh)

Шаг 5: Mémoire Parralèle

Заполните проект и используйте память SRAM ALLIANCE AS6C1008 128Kb * 8 бит (для схемы)

Конфигурация: 17 Адреса: A0-A16 8 Данные: D0-D7 2 Разрешение микросхемы: CE # -CE2 2 Разрешение записи и вывода: WE # -OE # 2 VCC (3,3 В), VSS (GND) 1 без подключения: NC

NB: La disposition des pins varie grandement d'un modèle à un autre ainsi que les temps de lecture / écriture

Pour le câblage à la BeagleBone voir schéma (Un réel plaisir à débugger où lorsque l'on à mal câblé!)

Внимание: Vous vous demandez sans doute pourquoi j'ai sauté specifics GPIO dans les lignes d'adresses et data, c'est tout simplement que ces GPIO sont alloués à l'EMMC présent sur la BBB et que malgré mes recherches je n'ai исправлена русская версия для утилиты (я знаю, что вам нужно, чтобы перейти к 2-му проходу, я исправил дефектную память, чтобы убедиться, что GPIO не проста в использовании!)

Afin de piloter la mémoire il faut d’abord étudier sa fiche method available à l’adressesuivante:

Это описание техники для различных циклов, которые необходимы для жизни и написания в памяти и в другой программе. Afin d’écrire dans la mémoire il faut repecter le cycle imposé par les constructeurs, qui sont tous les mêmes pour chacune des mémoires utilisées. Ainsi n'importe quelle mémoire 64Kb peut fonctionner avec notre program (si correctement câblé:)) Соответствующие временные интервалы между циклами, имеющими различные варианты воспоминаний о текущем цикле, а также длинные (100 нс) воспоминания, используемые для сохранения изображений. s'adaptera à toutes les mémoires. Ainsi les temps d’écriture et lecture minimums annoncés par les constructeurs ne seront jamais atteints car imposés par la mémoire la plus lente. Продолжительность циклов определяется в коде. Le seul moyen d’aller d'atteindre la vitesse maximale и программатор циклов для того, чтобы записать память в частности с минимальными временами. Le Cycle d’écriture revient à модификатор GPIO. La base du code est celle qui permet de faire clignoter une LED en ajoutant des temporisations précises Соответствующие aux durées des циклы imposées par le constructeur. Эффективное действие клигнора и светодиода соответствует созданию циклов высокого и основанного на GPIO.

Цикл количественной лекции, состоящей из возобновления работы GPIO, требует детектирования бутонного пуссуара.

Шаг 6: циклы Mémoire Parralèle

Cycle d'écriture (рис. 1, 2):

Выполните запись в память о том, что метры адресов электронной почты активны, чтобы активировать входные данные, включите CE для получения доступа к инструкции и записи, включенной в WE. Une fois cela effectuer mettre les pins des données aux valeurs souhaitées et le tour est joué (Mais Внимание tout de même à bien respecter les temporisations! ~ 100 нс)

Цикл лекции (рис. 3, 4):

Выполните запись в память о том, что метры для контактов с активными входами микросхемы активируют CE для получения высокой и важной информации. Вывод включает OE. Une fois cela effectué on recupère sur les Entrée GPIO de la BeagleBone les valeurs se Trouvant à cette adresse.

Шаг 7. Code Pilotant La Memoire Parraléle

Ce code permet de piloter 2 memoire parallèles indépendamment l'une de l'autre et s'utilise com ceci:

компиляция: $ gcc -lm programme_memoire.c -o memoire

$./memoire добавить 1 добавить 2 данные1 режим данных2 слот1 слот2

режим: 1 лекция, 2 кружка

Этот код создан для двух пилотных воспоминаний или двух «слотов», за 1 метр для использования.

Пример: $./memoire 120140 20210 2 1 0

écrit à l'adresse 120140 (16-битное шестнадцатеричное) les données 20210 на память о слоте 1.

Пример: $./memoire 120140 0 0 1 1 1

lit à l'adresse 120 140 les données sur la mémoire du slot 1 et 2.

Шаг 8: поддержка Pour Mémoires

Je vous fournit dans les photos les PCB de support mémoire sur lequel vous pourrez vous вдохновитель для ваших реализаций. Si vous voulez réaliser un système de mémoire, взаимозаменяемый, com moi veillez bien à câbler correctement vos mémoires en utilisant toujours le même ordre pour les pins.

Si vous avez des questions remarques n'hésitez pas tout avis est le bienvenu, en espérant vous escapeir aidé!